الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N CH 40V 195A TO220
سلسلة :
HEXFET®, StrongIRFET™
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
40V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
195A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 150µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
225nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
7330pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
230W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
TO-220AB