رقم القطعة :
SI5513DC-T1-GE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
نوع FET :
N and P-Channel
ميزة FET :
Logic Level Gate
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
3.1A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
75 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
6nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
-
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
8-SMD, Flat Lead
حزمة جهاز المورد :
1206-8 ChipFET™