الصانع :
Rohm Semiconductor
وصف :
MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
39A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
3.9 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
37nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
3500pF @ 15V
تبديد الطاقة (ماكس) :
2W (Ta), 20W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
8-HSMT (3.2x3)
حزمة / القضية :
8-PowerVDFN