رقم القطعة :
BSZ086P03NS3GATMA1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
13.5A (Ta), 40A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
8.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.1V @ 105µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
57.5nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
4785pF @ 15V
تبديد الطاقة (ماكس) :
2.1W (Ta), 69W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PG-TSDSON-8
حزمة / القضية :
8-PowerTDFN