رقم القطعة :
SSM3J35MFV,L3F
الصانع :
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف :
MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
100mA (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
8 Ohm @ 50mA, 4V
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
-
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
12.2pF @ 3V
تبديد الطاقة (ماكس) :
150mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount