رقم القطعة :
SISS71DN-T1-GE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
23A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
59 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
15nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1050pF @ 50V
تبديد الطاقة (ماكس) :
57W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
حزمة / القضية :
8-PowerVDFN