الصانع :
Diodes Incorporated
وصف :
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
2.9A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
80 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
6.7nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
568pF @ 15V
تبديد الطاقة (ماكس) :
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
SOT-23-3
حزمة / القضية :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3