رقم القطعة :
ZXMN2A02N8TA
الصانع :
Diodes Incorporated
وصف :
MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
8.3A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
20 mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
18.9nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1900pF @ 10V
تبديد الطاقة (ماكس) :
1.56W (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)