Microsemi Corporation - JANTX1N6622

KEY Part #: K6425034

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - زينر - واحد, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات, الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الثنائيات - زينر - المصفوفات, الترانزستورات - JFETs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة and الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors) ...

Competitive Advantage:: We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N6622 electronic components. JANTX1N6622 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N6622, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : JANTX1N6622

الصانع : Microsemi Corporation

وصف : DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

سلسلة : Military, MIL-PRF-19500/585

حالة الجزء : Active

نوع الصمام الثنائي : Standard

الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 660V

الحالي - متوسط تصحيح (io) : 2A

الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.4V @ 1.2A

سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

وقت الاسترداد العكسي (trr) : 30ns

الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 500nA @ 660V

السعة @ Vr ، F : 10pF @ 10V, 1MHz

تصاعد نوع : Through Hole

حزمة / القضية : A, Axial

حزمة جهاز المورد : -

درجة حرارة التشغيل - مفرق : -65°C ~ 150°C

قد تكون أيضا مهتما ب

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
IGB01N120H2ATMA1

Infineon Technologies

IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier