BAL99-E3-18 التسعير (USD) [3340050الأسهم قطعة]
- 1 pcs$0.01169
- 10,000 pcs$0.01163
- رقم القطعة:
- BAL99-E3-18
- وصف مفصل:
- DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 70 Volt 450mA 6ns 250 mA IFSM
- الصانع المهلة القياسية:
- في المخزن
- مدة الصلاحية:
- سنة واحدة
- رقاقة من:
- هونج كونج
- بنفايات:
- طريقة الدفع او السداد:
-
- طريقة الشحن:
- فئات الأسرة:
- KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - الغرض الخاص, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الترانزستورات - JFETs, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الثنائيات - مقومات - واحدة and الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ...
- Competitive Advantage:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAL99-E3-18 electronic components. BAL99-E3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAL99-E3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAL99-E3-18 سمات المنتج
رقم القطعة :
BAL99-E3-18
الصانع :
Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف :
DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23
سلسلة :
Automotive, AEC-Q101
حالة الجزء :
Active
نوع الصمام الثنائي :
Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) :
70V
الحالي - متوسط تصحيح (io) :
250mA
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا :
1.25V @ 150mA
سرعة :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) :
6ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي :
2.5µA @ 70V
السعة @ Vr ، F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد :
SOT-23
درجة حرارة التشغيل - مفرق :
-55°C ~ 150°C
أحدث الأخبار
قد تكون أيضا مهتما ب
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
أجزاء ساخنة
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G