رقم القطعة :
SISA24DN-T1-GE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212
سلسلة :
TrenchFET® Gen IV
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
25V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
60A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
1.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
26nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2650pF @ 10V
تبديد الطاقة (ماكس) :
52W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PowerPAK® 1212-8
حزمة / القضية :
PowerPAK® 1212-8