رقم القطعة :
IRF634B-FP001
الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220
حالة الجزء :
Not For New Designs
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
250V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
8.1A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
450 mOhm @ 4.05A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
38nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1000pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
74W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
TO-220AB