Infineon Technologies - IRF100B202

KEY Part #: K6402926

IRF100B202 التسعير (USD) [49481الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.76094
  • 10 pcs$0.67230
  • 100 pcs$0.53141
  • 500 pcs$0.41210
  • 1,000 pcs$0.30775

رقم القطعة:
IRF100B202
الصانع:
Infineon Technologies
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - زينر - واحد, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الثنائيات - RF, الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الثايرستور - SCRs - وحدات, وحدات سائق السلطة and الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF ...
Competitive Advantage:
We specialize in Infineon Technologies IRF100B202 electronic components. IRF100B202 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF100B202, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF100B202 سمات المنتج

رقم القطعة : IRF100B202
الصانع : Infineon Technologies
وصف : MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
سلسلة : HEXFET®, StrongIRFET™
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 97A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 8.6 mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 116nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 4476pF @ 50V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 221W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع : Through Hole
حزمة جهاز المورد : TO-220AB
حزمة / القضية : TO-220-3