ON Semiconductor - FDN337N

KEY Part #: K6418328

FDN337N التسعير (USD) [688873الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.05396
  • 3,000 pcs$0.05369

رقم القطعة:
FDN337N
الصانع:
ON Semiconductor
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - زينر - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الثنائيات - زينر - واحد, الثايرستور - SCRs, الثنائيات - مقومات - واحدة, الثايرستور - DIACs ، SIDACs and الترانزستورات - IGBTs - واحدة ...
Competitive Advantage:
We specialize in ON Semiconductor FDN337N electronic components. FDN337N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDN337N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDN337N سمات المنتج

رقم القطعة : FDN337N
الصانع : ON Semiconductor
وصف : MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 2.2A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 65 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 9nC @ 4.5V
Vgs (ماكس) : ±8V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 300pF @ 10V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : SuperSOT-3
حزمة / القضية : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

قد تكون أيضا مهتما ب
  • TK5A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS.

  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK40E10K3,S1X(S

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB.