رقم القطعة :
TK40E10K3,S1X(S
الصانع :
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف :
MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
40A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
15 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
84nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
4000pF @ 10V
حزمة جهاز المورد :
TO-220-3