رقم القطعة :
SSM3K35AMFV,L3F
الصانع :
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف :
SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
250mA (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 100µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
0.34nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
36pF @ 10V
تبديد الطاقة (ماكس) :
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount