الصانع :
GeneSiC Semiconductor
تقنية :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
300V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
9A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
240 mOhm @ 5A
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
-
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
-
تبديد الطاقة (ماكس) :
20W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 225°C (TJ)