وصف :
MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
1000V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
6A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
2.2 Ohm @ 3A, 0V
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
95nC @ 5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2650pF @ 25V
ميزة FET :
Depletion Mode
تبديد الطاقة (ماكس) :
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
TO-263 (IXTA)
حزمة / القضية :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB