Vishay Semiconductor Diodes Division - BAV103-GS08

KEY Part #: K6458573

BAV103-GS08 التسعير (USD) [2587754الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.01429
  • 2,500 pcs$0.01377
  • 5,000 pcs$0.01242
  • 12,500 pcs$0.01080
  • 25,000 pcs$0.00972
  • 62,500 pcs$0.00864
  • 125,000 pcs$0.00720

رقم القطعة:
BAV103-GS08
الصانع:
Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف مفصل:
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.0 Amp 250 Volt
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الثنائيات - زينر - المصفوفات, الثايرستور - SCRs - وحدات, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة, الثنائيات - مقومات - واحدة, الترانزستورات - JFETs, الترانزستورات - الغرض الخاص and الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV103-GS08 electronic components. BAV103-GS08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV103-GS08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAV103-GS08 سمات المنتج

رقم القطعة : BAV103-GS08
الصانع : Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف : DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80
سلسلة : Automotive, AEC-Q101
حالة الجزء : Active
نوع الصمام الثنائي : Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 200V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 250mA (DC)
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1V @ 100mA
سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : 50ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 100nA @ 200V
السعة @ Vr ، F : 1.5pF @ 0V, 1MHz
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
حزمة جهاز المورد : SOD-80 MiniMELF
درجة حرارة التشغيل - مفرق : 175°C (Max)

قد تكون أيضا مهتما ب
  • 1SS294,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMINI. Schottky Diodes & Rectifiers SS Schottky 45Vrm 40V VR 300mA

  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAS16WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR