رقم القطعة :
SSM6J771G,LF
الصانع :
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف :
MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
5A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
2.5V, 8.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
31 mOhm @ 3A, 8.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 1mA, 3V
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
9.8nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
870pF @ 10V
تبديد الطاقة (ماكس) :
1.2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
6-UFBGA, WLCSP