ESH1C R3G التسعير (USD) [896657الأسهم قطعة]
- 1 pcs$0.04125
- رقم القطعة:
- ESH1C R3G
- الصانع:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- وصف مفصل:
- DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC. Rectifiers 1A, 150V, SUPER FAST SM RECTIFIER
- الصانع المهلة القياسية:
- في المخزن
- مدة الصلاحية:
- سنة واحدة
- رقاقة من:
- هونج كونج
- بنفايات:
- طريقة الدفع او السداد:
-
- طريقة الشحن:
- فئات الأسرة:
- KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الثنائيات - مقومات - واحدة, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات, الثنائيات - مقومات - صفائف, الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الترانزستورات - IGBTs - واحدة and الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF ...
- Competitive Advantage:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ESH1C R3G electronic components. ESH1C R3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ESH1C R3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ESH1C R3G سمات المنتج
رقم القطعة :
ESH1C R3G
الصانع :
Taiwan Semiconductor Corporation
وصف :
DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
سلسلة :
-
حالة الجزء :
Active
نوع الصمام الثنائي :
Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) :
150V
الحالي - متوسط تصحيح (io) :
1A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا :
950mV @ 1A
سرعة :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) :
15ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي :
1µA @ 150V
السعة @ Vr ، F :
16pF @ 4V, 1MHz
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
DO-214AC, SMA
حزمة جهاز المورد :
DO-214AC (SMA)
درجة حرارة التشغيل - مفرق :
-55°C ~ 175°C
أحدث الأخبار
قد تكون أيضا مهتما ب
-
-
RHRD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V HyperFast Diode
-
C3D02065E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode 2A, 650V
-
BAS70E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 70V 0.07A
-
-
VS-12EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 12A TO252. Rectifiers 12A 600V 18ns Hyperfast
أجزاء ساخنة
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A