الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
500V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
18.5A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
13V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
190 mOhm @ 6.2A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 510µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
47.2nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1137pF @ 100V
ميزة FET :
Super Junction
تبديد الطاقة (ماكس) :
32W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
PG-TO220-FP
حزمة / القضية :
TO-220-3 Full Pack