رقم القطعة :
TPH6R004PL,LQ
الصانع :
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
40V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
87A (Ta), 49A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
6 mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 200µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
30nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2700pF @ 20V
تبديد الطاقة (ماكس) :
1.8W (Ta), 81W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
175°C
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
8-SOP Advance (5x5)
حزمة / القضية :
8-PowerVDFN