GeneSiC Semiconductor - GA10JT12-247

KEY Part #: K6404176

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الترانزستورات - الغرض الخاص, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الثايرستور - SCRs, الثنائيات - مقومات - واحدة, الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الترانزستورات - IGBTs - واحدة and الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors) ...

Competitive Advantage:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GA10JT12-247 electronic components. GA10JT12-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA10JT12-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : GA10JT12-247

الصانع : GeneSiC Semiconductor

وصف : TRANS SJT 1.2KV 10A

سلسلة : -

حالة الجزء : Obsolete

نوع FET : -

تقنية : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 1200V

الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 10A (Tc)

جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id، Vgs : 140 mOhm @ 10A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : -

Vgs (ماكس) : -

سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : -

ميزة FET : -

تبديد الطاقة (ماكس) : 170W (Tc)

درجة حرارة التشغيل : 175°C (TJ)

تصاعد نوع : Through Hole

حزمة جهاز المورد : TO-247AB

حزمة / القضية : TO-247-3

قد تكون أيضا مهتما ب

NP60N055VUK-E1-AY

Renesas Electronics America

MOSFET N-CH 55V 60A TO-252.
NP60N04VUK-E1-AY

Renesas Electronics America

MOSFET N-CH 40V 60A TO-252.
AUIRLR024Z

Infineon Technologies

MOSFET N CH 55V 16A DPAK.
AUIRFR4292

Infineon Technologies

MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.
IRFR7440PBF

Infineon Technologies

MOSFET N CH 40V 90A DPAK.
TK16A60W5,S4VX

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.

أجزاء ساخنة