S1JR2 التسعير (USD) [2750629الأسهم قطعة]
- 1 pcs$0.01345
- رقم القطعة:
- S1JR2
- الصانع:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- وصف مفصل:
- 1A 600V GLASS PASSIVATED SMD R.
- الصانع المهلة القياسية:
- في المخزن
- مدة الصلاحية:
- سنة واحدة
- رقاقة من:
- هونج كونج
- بنفايات:
- طريقة الدفع او السداد:
-
- طريقة الشحن:
- فئات الأسرة:
- KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة, الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الترانزستورات - JFETs and وحدات سائق السلطة ...
- Competitive Advantage:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S1JR2 electronic components. S1JR2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1JR2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S1JR2 سمات المنتج
رقم القطعة :
S1JR2
الصانع :
Taiwan Semiconductor Corporation
وصف :
1A 600V GLASS PASSIVATED SMD R
سلسلة :
-
حالة الجزء :
Active
نوع الصمام الثنائي :
Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) :
600V
الحالي - متوسط تصحيح (io) :
1A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا :
1.1V @ 1A
سرعة :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) :
1.5µs
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي :
1µA @ 600V
السعة @ Vr ، F :
12pF @ 4V, 1MHz
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
DO-214AC, SMA
حزمة جهاز المورد :
DO-214AC (SMA)
درجة حرارة التشغيل - مفرق :
-55°C ~ 175°C
أحدث الأخبار
قد تكون أيضا مهتما ب
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
أجزاء ساخنة
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A