BAS16E6433HTMA1 التسعير (USD) [4175064الأسهم قطعة]
- 1 pcs$0.00886
- 10,000 pcs$0.00872
- 30,000 pcs$0.00785
- 50,000 pcs$0.00698
- 100,000 pcs$0.00654
- 250,000 pcs$0.00581
- رقم القطعة:
- BAS16E6433HTMA1
- الصانع:
- Infineon Technologies
- وصف مفصل:
- DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
- الصانع المهلة القياسية:
- في المخزن
- مدة الصلاحية:
- سنة واحدة
- رقاقة من:
- هونج كونج
- بنفايات:
- طريقة الدفع او السداد:
-
- طريقة الشحن:
- فئات الأسرة:
- KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الثنائيات - زينر - واحد, الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الثنائيات - RF, الثنائيات - زينر - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات and الثايرستور - SCRs ...
- Competitive Advantage:
- We specialize in Infineon Technologies BAS16E6433HTMA1 electronic components. BAS16E6433HTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS16E6433HTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS16E6433HTMA1 سمات المنتج
رقم القطعة :
BAS16E6433HTMA1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
سلسلة :
-
حالة الجزء :
Last Time Buy
نوع الصمام الثنائي :
Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) :
80V
الحالي - متوسط تصحيح (io) :
250mA (DC)
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا :
1.25V @ 150mA
سرعة :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) :
4ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي :
1µA @ 75V
السعة @ Vr ، F :
2pF @ 0V, 1MHz
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد :
SOT-23-3
درجة حرارة التشغيل - مفرق :
150°C (Max)
أحدث الأخبار
قد تكون أيضا مهتما ب
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
أجزاء ساخنة
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR