وصف :
MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
200V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
1900A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
1.7 mOhm @ 1600A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 5mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
2900nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
-
درجة حرارة التشغيل :
-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Chassis Mount