Taiwan Semiconductor Corporation - S1J-KR2G

KEY Part #: K6458566

S1J-KR2G التسعير (USD) [2511991الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.01472

رقم القطعة:
S1J-KR2G
الصانع:
Taiwan Semiconductor Corporation
وصف مفصل:
STANDARD RECOVERY RECTIFIER.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - زينر - المصفوفات, الثايرستور - SCRs - وحدات, الترانزستورات - JFETs, وحدات سائق السلطة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الثنائيات - RF, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF and الترانزستورات - الغرض الخاص ...
Competitive Advantage:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S1J-KR2G electronic components. S1J-KR2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1J-KR2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1J-KR2G سمات المنتج

رقم القطعة : S1J-KR2G
الصانع : Taiwan Semiconductor Corporation
وصف : STANDARD RECOVERY RECTIFIER
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع الصمام الثنائي : Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 600V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 1A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.1V @ 1A
سرعة : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : 1.5µs
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 1µA @ 600V
السعة @ Vr ، F : 12pF @ 4V, 1MHz
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : DO-214AC, SMA
حزمة جهاز المورد : DO-214AC (SMA)
درجة حرارة التشغيل - مفرق : -55°C ~ 175°C

قد تكون أيضا مهتما ب
  • 1SS294,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMINI. Schottky Diodes & Rectifiers SS Schottky 45Vrm 40V VR 300mA

  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAS70-00-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single