Vishay Siliconix - SIS106DN-T1-GE3

KEY Part #: K6396183

SIS106DN-T1-GE3 التسعير (USD) [187706الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.19705

رقم القطعة:
SIS106DN-T1-GE3
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - RF, الثنائيات - مقومات - واحدة, الترانزستورات - الغرض الخاص, الثنائيات - زينر - واحد, الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات, الثنائيات - مقومات الجسر and الثايرستور - SCRs ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SIS106DN-T1-GE3 electronic components. SIS106DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS106DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIS106DN-T1-GE3 سمات المنتج

رقم القطعة : SIS106DN-T1-GE3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-
سلسلة : TrenchFET® Gen IV
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 60V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 9.8A (Ta), 16A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 18.5 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 13.5nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 540pF @ 30V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 3.2W (Ta), 24W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : PowerPAK® 1212-8S
حزمة / القضية : PowerPAK® 1212-8S

قد تكون أيضا مهتما ب
  • DMP6110SVT-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V TSOT26.

  • IRFI9Z24GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP.

  • DMG4N60SCT

    Diodes Incorporated

    MOSFET NCH 600V 4.5A TO220.

  • FDN8601

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT.

  • FDN357N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3.

  • NDS0605

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23.