رقم القطعة :
DMN10H170SFG-7
الصانع :
Diodes Incorporated
وصف :
MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
122 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
14.9nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
870.7pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
940mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PowerDI3333-8
حزمة / القضية :
8-PowerWDFN