Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-ST180S12P0V

KEY Part #: K6458695

VS-ST180S12P0V التسعير (USD) [869الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$50.91328
  • 10 pcs$48.28707
  • 25 pcs$46.97347
  • 100 pcs$40.70975

رقم القطعة:
VS-ST180S12P0V
الصانع:
Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف مفصل:
SCR PHASE CONT 1200V 200A TO93. SCRs 1200 Volt 200 Amp
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - الغرض الخاص, الثنائيات - مقومات - صفائف, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات, الثايرستور - SCRs, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات and الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ST180S12P0V electronic components. VS-ST180S12P0V can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-ST180S12P0V, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-ST180S12P0V سمات المنتج

رقم القطعة : VS-ST180S12P0V
الصانع : Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف : SCR PHASE CONT 1200V 200A TO93
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
الجهد - خارج الدولة : 1.2kV
الجهد - بوابة الزناد (Vgt) (ماكس) : 3V
الحالية - بوابة الزناد (Igt) (ماكس) : 150mA
الجهد - على الدولة (Vtm) (ماكس) : 1.75V
الحالية - على الدولة (و (AV)) (ماكس) : 200A
الحالية - على الدولة (It (RMS)) (الحد الأقصى) : 314A
الحالية - تعليق (Ih) (ماكس) : 600mA
الحالية - خارج الدولة (ماكس) : 30mA
الحالية - غير مندوب زيادة 50 ، 60Hz (Itsm) : 5000A, 5230A
SCR نوع : Standard Recovery
درجة حرارة التشغيل : -40°C ~ 125°C
تصاعد نوع : Chassis, Stud Mount
حزمة / القضية : TO-209AB, TO-93-4, Stud
حزمة جهاز المورد : TO-209AB (TO-93)

قد تكون أيضا مهتما ب
  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode

  • BAL99E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode