رقم القطعة :
SIRA80DP-T1-RE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SO-8
سلسلة :
TrenchFET® Gen IV
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
100A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
0.62 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
188nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
9530pF @ 15V
تبديد الطاقة (ماكس) :
104W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PowerPAK® SO-8
حزمة / القضية :
PowerPAK® SO-8