Vishay Semiconductor Diodes Division - NSB8AT-E3/81

KEY Part #: K6437555

NSB8AT-E3/81 التسعير (USD) [143207الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.25828
  • 800 pcs$0.24191

رقم القطعة:
NSB8AT-E3/81
الصانع:
Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف مفصل:
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - زينر - المصفوفات, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الثنائيات - مقومات الجسر, الثايرستور - TRIACs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الثايرستور - SCRs and الثنائيات - زينر - واحد ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division NSB8AT-E3/81 electronic components. NSB8AT-E3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSB8AT-E3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSB8AT-E3/81 سمات المنتج

رقم القطعة : NSB8AT-E3/81
الصانع : Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف : DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع الصمام الثنائي : Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 50V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 8A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.1V @ 8A
سرعة : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : -
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 10µA @ 50V
السعة @ Vr ، F : 55pF @ 4V, 1MHz
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد : TO-263AB
درجة حرارة التشغيل - مفرق : -55°C ~ 150°C

قد تكون أيضا مهتما ب
  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • GL34D/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

  • NSB8MT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3

  • MBRB10H100-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM

  • NSB8AT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM