رقم القطعة :
IPB020N10N5ATMA1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
120A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 270µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
210nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
15600pF @ 50V
تبديد الطاقة (ماكس) :
375W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
D²PAK (TO-263AB)
حزمة / القضية :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB