Vishay Semiconductor Diodes Division - ES2A-M3/52T

KEY Part #: K6457930

ES2A-M3/52T التسعير (USD) [771501الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.05059
  • 10,500 pcs$0.05034

رقم القطعة:
ES2A-M3/52T
الصانع:
Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف مفصل:
DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الثنائيات - مقومات - صفائف, الترانزستورات - JFETs, الثايرستور - TRIACs, الثايرستور - SCRs - وحدات, الثنائيات - مقومات - واحدة, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF and الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES2A-M3/52T electronic components. ES2A-M3/52T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES2A-M3/52T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES2A-M3/52T سمات المنتج

رقم القطعة : ES2A-M3/52T
الصانع : Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف : DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع الصمام الثنائي : Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 50V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 2A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 900mV @ 2A
سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : 30ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 10µA @ 50V
السعة @ Vr ، F : 18pF @ 4V, 1MHz
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : DO-214AA, SMB
حزمة جهاز المورد : DO-214AA (SMB)
درجة حرارة التشغيل - مفرق : -55°C ~ 150°C

قد تكون أيضا مهتما ب
  • RGL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34J-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-200-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt

  • BYM07-100-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt