رقم القطعة :
IPI029N06NAKSA1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
60V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
24A (Ta), 100A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
2.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 75µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
56nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
4100pF @ 30V
تبديد الطاقة (ماكس) :
3W (Ta), 136W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
PG-TO262-3
حزمة / القضية :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA