Vishay Semiconductor Diodes Division - EGP50GHE3/54

KEY Part #: K6447601

[1368الأسهم قطعة]


    رقم القطعة:
    EGP50GHE3/54
    الصانع:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    وصف مفصل:
    DIODE GEN PURP 400V 5A GP20.
    الصانع المهلة القياسية:
    في المخزن
    مدة الصلاحية:
    سنة واحدة
    رقاقة من:
    هونج كونج
    بنفايات:
    طريقة الدفع او السداد:
    طريقة الشحن:
    فئات الأسرة:
    KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الثايرستور - TRIACs, الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الثنائيات - زينر - المصفوفات, الترانزستورات - الغرض الخاص, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF and الثنائيات - RF ...
    Competitive Advantage:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGP50GHE3/54 electronic components. EGP50GHE3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGP50GHE3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EGP50GHE3/54 سمات المنتج

    رقم القطعة : EGP50GHE3/54
    الصانع : Vishay Semiconductor Diodes Division
    وصف : DIODE GEN PURP 400V 5A GP20
    سلسلة : SUPERECTIFIER®
    حالة الجزء : Obsolete
    نوع الصمام الثنائي : Standard
    الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 400V
    الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 5A
    الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.25V @ 5A
    سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    وقت الاسترداد العكسي (trr) : 50ns
    الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 5µA @ 400V
    السعة @ Vr ، F : 75pF @ 4V, 1MHz
    تصاعد نوع : Through Hole
    حزمة / القضية : DO-201AA, DO-27, Axial
    حزمة جهاز المورد : GP20
    درجة حرارة التشغيل - مفرق : -65°C ~ 150°C

    قد تكون أيضا مهتما ب
    • MA3X74800L

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 20V 500MA MINI3.

    • 1PS193,115

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 1PS193,135

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • VS-8EWL06FN-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V 60ns Hyperfast

    • EGL34GHE3/83

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

    • EGL34DHE3/83

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.