رقم القطعة :
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
الصانع :
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف :
MOSFET P-CH 40V 60A DPAK-3
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
40V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
60A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
6.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
125nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
6510pF @ 10V
تبديد الطاقة (ماكس) :
90W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63