Toshiba Semiconductor and Storage - TJ60S04M3L(T6L1,NQ

KEY Part #: K6419538

TJ60S04M3L(T6L1,NQ التسعير (USD) [117194الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.33644
  • 2,000 pcs$0.33477

رقم القطعة:
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
الصانع:
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف مفصل:
MOSFET P-CH 40V 60A DPAK-3.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الثنائيات - زينر - واحد, الثايرستور - TRIACs, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة, الثنائيات - RF, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, وحدات سائق السلطة and الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF ...
Competitive Advantage:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S04M3L(T6L1,NQ electronic components. TJ60S04M3L(T6L1,NQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TJ60S04M3L(T6L1,NQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TJ60S04M3L(T6L1,NQ سمات المنتج

رقم القطعة : TJ60S04M3L(T6L1,NQ
الصانع : Toshiba Semiconductor and Storage
وصف : MOSFET P-CH 40V 60A DPAK-3
سلسلة : U-MOSVI
حالة الجزء : Active
نوع FET : P-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 40V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 60A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 6.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 125nC @ 10V
Vgs (ماكس) : +10V, -20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 6510pF @ 10V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 90W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : 175°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : DPAK+
حزمة / القضية : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

قد تكون أيضا مهتما ب