Vishay Siliconix - SI2302CDS-T1-GE3

KEY Part #: K6417678

SI2302CDS-T1-GE3 التسعير (USD) [471021الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.07853
  • 3,000 pcs$0.07418

رقم القطعة:
SI2302CDS-T1-GE3
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - مقومات - واحدة, وحدات سائق السلطة, الترانزستورات - الغرض الخاص, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الثايرستور - SCRs - وحدات, الثنائيات - RF, الثايرستور - DIACs ، SIDACs and الترانزستورات - Unijunction للبرمجة ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SI2302CDS-T1-GE3 electronic components. SI2302CDS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2302CDS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2302CDS-T1-GE3 سمات المنتج

رقم القطعة : SI2302CDS-T1-GE3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
سلسلة : TrenchFET®
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 2.6A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 850mV @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 5.5nC @ 4.5V
Vgs (ماكس) : ±8V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : -
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 710mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : SOT-23-3 (TO-236)
حزمة / القضية : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

قد تكون أيضا مهتما ب