رقم القطعة :
FGA15N120ANDTU
الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
IGBT 1200V 24A 200W TO3P
الجهد - انهيار جامع باعث (ماكس) :
1200V
الحالية - جامع (جيم) (ماكس) :
24A
الحالية - جامع نابض (ICM) :
45A
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic :
3.2V @ 15V, 15A
تحويل الطاقة :
3.27mJ (on), 600µJ (off)
يوم (تشغيل / إيقاف) @ 25 درجة مئوية :
90ns/310ns
شرط الاختبار :
600V, 15A, 20 Ohm, 15V
وقت الاسترداد العكسي (trr) :
330ns
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
حزمة / القضية :
TO-3P-3, SC-65-3
حزمة جهاز المورد :
TO-3PN