الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
80V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
19.4A (Ta), 100A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
3.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
100nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
7600pF @ 40V
تبديد الطاقة (ماكس) :
2.5W (Ta), 104W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
8-PQFN (5x6)
حزمة / القضية :
8-PowerTDFN