رقم القطعة :
FCPF099N65S3
الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET N-CH 650V 30A TO220F
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
650V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
30A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
99 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 3mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
57nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2310pF @ 400V
تبديد الطاقة (ماكس) :
43W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
TO-220F
حزمة / القضية :
TO-220-3 Full Pack