رقم القطعة :
SIR622DP-T1-GE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET N-CH 150V 51.6A SO-8
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
150V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
51.6A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
17.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
31nC @ 7.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1516pF @ 75V
تبديد الطاقة (ماكس) :
104W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PowerPAK® SO-8
حزمة / القضية :
PowerPAK® SO-8