رقم القطعة :
IPD65R400CEAUMA1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 650V TO-252
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
650V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
15.1A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
400 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 320µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
39nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
710pF @ 100V
ميزة FET :
Super Junction
تبديد الطاقة (ماكس) :
118W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PG-TO252-3
حزمة / القضية :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63