IXYS - IXFN120N25

KEY Part #: K6402714

IXFN120N25 التسعير (USD) [3250الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$14.06441
  • 10 pcs$13.99444

رقم القطعة:
IXFN120N25
الصانع:
IXYS
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - JFETs, وحدات سائق السلطة, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors), الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF and الثايرستور - DIACs ، SIDACs ...
Competitive Advantage:
We specialize in IXYS IXFN120N25 electronic components. IXFN120N25 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN120N25, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN120N25 سمات المنتج

رقم القطعة : IXFN120N25
الصانع : IXYS
وصف : MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 250V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 120A
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id، Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : -
Vgs (ماكس) : -
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : -
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : -
درجة حرارة التشغيل : -
تصاعد نوع : Chassis Mount
حزمة جهاز المورد : SOT-227B
حزمة / القضية : SOT-227-4, miniBLOC

قد تكون أيضا مهتما ب
  • BS170PSTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • DN2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

  • GP1M008A050CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.

  • GP1M007A065CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK.

  • GP1M003A090C

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK.

  • GP1M003A080CH

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 800V 3A DPAK.