BAV100-GS18 التسعير (USD) [3225988الأسهم قطعة]
- 1 pcs$0.01147
- 10,000 pcs$0.01080
- رقم القطعة:
- BAV100-GS18
- وصف مفصل:
- DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.0 Amp 60V 500mW
- الصانع المهلة القياسية:
- في المخزن
- مدة الصلاحية:
- سنة واحدة
- رقاقة من:
- هونج كونج
- بنفايات:
- طريقة الدفع او السداد:
-
- طريقة الشحن:
- فئات الأسرة:
- KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الثنائيات - زينر - المصفوفات, الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الثايرستور - SCRs and الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF ...
- Competitive Advantage:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV100-GS18 electronic components. BAV100-GS18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV100-GS18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAV100-GS18 سمات المنتج
رقم القطعة :
BAV100-GS18
الصانع :
Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف :
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80
سلسلة :
Automotive, AEC-Q101
حالة الجزء :
Active
نوع الصمام الثنائي :
Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) :
50V
الحالي - متوسط تصحيح (io) :
250mA (DC)
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا :
1V @ 100mA
سرعة :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) :
50ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي :
100nA @ 50V
السعة @ Vr ، F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
حزمة جهاز المورد :
SOD-80 MiniMELF
درجة حرارة التشغيل - مفرق :
175°C (Max)
أحدث الأخبار
قد تكون أيضا مهتما ب
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
أجزاء ساخنة
- IDT06S60CHKSA1
- GP10A-5016M3/54
- 1N4006GPE-M3/73
- D740N36TXPSA1
- UF4005 BK
- JANS1N6677UR-1
- BA157GP-M3/54
- GP02-40-M3/73
- 1N4004GPE-E3/93
- RU 4DS
- VS-MBRD330TRLPBF
- SK310B/TR13
- SB10-05A3-BT
- DLA11C-TR-E
- GPA804-BP
- 1N5401-AP
- SS32HE3/57T
- SS25HE3/52T
- SS320HE-TP
- RJU6053WDPP-M0#T2
- S3GHE3/57T
- RS3BHE3/9AT
- RGP5020-E3/54
- GPP15M-E3/54
- GI917-E3/54
- FGP30D-E3/73
- MBRD835L
- MR856
- MBRS3201T3
- SIDC53D120H6X1SA3
- VS-MUR1520PBF
- 80EPS08
- S3AB-13
- FR1J-LTP
- D255K06BXPSA1
- STPSC5H12D
- RGF1D-E3/67A
- RB068LAM150TR
- RF01VM2STE-17
- LS103A-GS18