رقم القطعة :
TK6P53D(T6RSS-Q)
الصانع :
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف :
MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
525V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
6A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
1.3 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.4V @ 1mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
12nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
600pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63