Infineon Technologies - IRFR3518TRPBF

KEY Part #: K6420039

IRFR3518TRPBF التسعير (USD) [154013الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.24016
  • 2,000 pcs$0.20526

رقم القطعة:
IRFR3518TRPBF
الصانع:
Infineon Technologies
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 80V 38A DPAK.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - زينر - المصفوفات, الثايرستور - SCRs - وحدات, الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors), الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الترانزستورات - الغرض الخاص, الترانزستورات - JFETs, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات and الترانزستورات - IGBTs - وحدات ...
Competitive Advantage:
We specialize in Infineon Technologies IRFR3518TRPBF electronic components. IRFR3518TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR3518TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR3518TRPBF سمات المنتج

رقم القطعة : IRFR3518TRPBF
الصانع : Infineon Technologies
وصف : MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
سلسلة : HEXFET®
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 80V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 38A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 29 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 1710pF @ 25V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 110W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : D-Pak
حزمة / القضية : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

قد تكون أيضا مهتما ب