رقم القطعة :
SI5902DC-T1-E3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8
نوع FET :
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET :
Logic Level Gate
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
2.9A
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
85 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA (Min)
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
7.5nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
-
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
8-SMD, Flat Lead
حزمة جهاز المورد :
1206-8 ChipFET™