الصانع :
STMicroelectronics
وصف :
MOSFET N-CH 650V IPAK
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
650V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
6A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
1.3 Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 50µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
34nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
895pF @ 100V
تبديد الطاقة (ماكس) :
70W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
150°C (TJ)
حزمة / القضية :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA